国家知识产权局信息数据显现，上海华虹宏力半导体制作有限公司请求一项名为“消除深沟槽阻隔结构中多晶硅锥形缺点的办法”的专利，公开号CN121335517A，请求日期为2025年9月。

  专利摘要显现，本发明供给一种消除深沟槽阻隔结构中多晶硅锥形缺点的办法，该办法有：供给半导体衬底，并在衬底中构成深沟槽；在深沟槽内标明发生阻隔介质层后，选用多晶硅填充深沟槽；重点是，在对衬底进行化学机械平整化之前，添加一步对填充了多晶硅的衬底进行退火处理的过程，以改进多晶硅中心结合界面的结晶状况。本发明经过该退火处理，使多晶硅中心界面再结晶并细密化，确保了后续成长的垫氧化层厚度均匀，然后在有源区刻蚀时防止因刻蚀残留构成锥形缺点，在不影响其他工艺的前提下，显着提高了阻隔结构的可靠性和产品良率。

  天眼查资料显现，上海华虹宏力半导体制作有限公司，成立于2013年，坐落上海市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。经过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制作有限公司共对外出资了8家企业，参加招投标项目930次，产业线条，此外企业还具有行政许可429个。

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